各PC芯片组厂双通道DDR芯片组均将在第四季登场，综合各主机板厂及芯片组厂消息指出，英特尔一款原用于服务器的高阶芯片Granite Bay主机板可望在10月初量产，将取得芯片组最早量产地位，而硅统的SiS655因支持DDR333双通道，规格方面可望后来居上。

硅统内部对于SiS655相当看好，为避免产品规格过于复杂，内部正评估SiS648DX停止上市可行性，以确SiS655 2002年DDR芯片组最高规格地位。

芯片组厂产品规格竞赛进入白热化地带，P4芯片组第四季也推演进入内存双通道时代，由于PC规格对于DRAM频宽效能要求不断提升，包括威盛、硅统、英特尔均已规划推出双通道DDR产品。

根据来自芯片组厂及下游主机板厂商消息，英特尔一款原作为服务器用芯片组Granite Bay可望最先量产，主机板支持产品最快将在10月初量产，不过，由于该组芯片仅支持DDR266双通道，且对于2条DDR模块的容量、type均要求一致才能兼容，加上单价过高，台湾芯片组厂并不看好该产品后市。

当前威盛及硅统亦有双通道DDR产品将于第四季推出，硅统SiS655已有Sample送交下游客户设计，预计量产时间在11月底至12月初，较原规划时间提前1个月左右。

由于SiS655将支持双通道DDR333，且2个DDR的规格并没有特定要求，规格领先Granite Bay甚多，成为硅统内部最看好的高阶P4芯片组，硅统评估，英特尔相同规格产品Springdale-P要至2003年第二季始量产，故SiS655可望领先至少1季时间布局。

当前硅统内部仍尚未作最后决定SiS655能否支持双通道DDR400，不过，为确保SiS655最高阶产品地位(不计算R658在内) ，并拉大其与其他产品价差，硅统内部亦正考虑停止SiS648DX上市计画。

SiS648DX与SiS648差异仅在于可支持DDR400，规格差异不大，加上DDR400未获JEDEC承认等，均使得SiS648DX胎死腹中可能性增高。

威盛第一款支持内存双通道芯片组为P4X600，公司表示当前进入Sample阶段，量产时间最快可在10月底、11月初，该产品支持双通道DDR333，与硅统SiS655量产时间相近，最有可能出现产品对打，不过，因P4X600仍受制于专利权问题，在SI及OEM客户方面可能阻力较高。