SK海力士于今天宣布推出使用1Znm制程工艺的16GbDDR4内存颗粒，明年开始量产。SK海力士的1Znm制程已经是他们在10nm工艺节点中的第三代工艺技术了。

相比起上一代1Ynm，SK海力士的1Znm制程可以提高27%的产量，并且还不需要EUV工艺的介入，在工艺的“性价比”上又提高了许多。而伴随工艺提升同时提升的还有能效比，与1Ynm的8Gb颗粒相比，功耗降低了约40%，而最高的传输速率可以提升到3200Mbps，SK海力士称他们的1Znm颗粒拥有业界最高的密度、速率和能量效率。另外，他们在新工艺中还引入了新的物质改善颗粒的电气性能，并引入了新的设计提高内存的稳定性。

现在DDR4颗粒的三大生产厂中，美光已经在今年8月份的时候宣布他们的1Znm制程量产了，而三星则是更早，在今年3月份就宣布了1Z制程的量产，不过三星是宣布用于8Gb颗粒的生产，而现在美光和SK海力士都是将1Znm用于16Gb颗粒的生产。

而随着主要内存颗粒生产厂切换到产能更高的工艺上，内存容量可能很快也要迎来一个加倍窗口，从目前主流的16GB加倍到32GB。现在市面上常见的单条16GB内存条因为使用的多为8Gb的颗粒，所以多为双面设计，而在16Gb大容量颗粒量产之后，有望普及单面16GB和双面32GB的内存条。

SK海力士还计划将1Znm工艺拓展到其他生产应用中，比如下一代DDR5、下一代移动DRAM——LPDDR5和未来的HBM3。