xiaowei- 发布时间:2023-11-22 15:29
- 来源:极全网
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标题：海力士宣布英特尔认证的40纳米2Gb ddr3内存
海力士半导体（HynixSemiconductor）于11月20日正式宣布了得到Intel认证的40nm工艺的2GbDDR3内存。
通过Intel认证的DDR3内存产品包括了4GBDDR3SO-DIMM以及2GBDDR3UDIMM，工作频率均为1333MHz，电压为1.5V。
据悉该内存可在16-bitI/O下提供最大1867MHz的速度以及3.7GB/s的带宽，据称该40nm2GbDDR3内存可比50nm工艺产品节省约40%的功耗，以及提升60%的生产效率。
海力士表示目前已经开始量产40nm2GbDDR3内存。另外，预计其RDIMM认证（双线内存模块）的内存亦将会在年内完成。
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