昨天三星和GLOBALFOUNDRIES达成协议授权后者使用三星的14nmFinFET工艺，预计今年底开始投产。准备进入FinFET工艺的还有代工业老大TSMC，他们已经开始量产20nm工艺，16nmFinFET工艺也已经在试产，2015年早些时候会量产，2015年晚些时候还有改进型的16nmFinFET+工艺，明年Q4还会试产10nmFinFET工艺，量产时间预计在2016年-2017年。

TSMC上周公告称他们目前已经在试产16nmFinFET工艺，商业化量产预计在2015年早些时候。与此同时，TSMC还开发出了改进型的16nmFinFET+工艺，预计在2015年晚些时候量产。TSMC预计大多数客户会从16nmFinFET工艺升级到16nmFinFET+工艺，因为后者的优势更大。

与16nmFinFET相比，16nmFinFET+工艺在同样的功耗下性能提高了15%，在同样的频率下功耗则降低了30%，相比20nm工艺则会有40%的速度优势。

此外，16nmFinFET+与16nmFinFET的设计规则是一样的，大部分要求都是互相兼容的，16nmFinFET的芯片设计只需要非常小的改动（如果需要的话）就能用到到16nmFinFET+工艺上，客户迁移到新工艺的成本及花费的时间都会很低。

TSMC预计16nmFinFET+工艺在今年9月份就会完全合格，他们还表示95%的晶圆厂都可以使用16nmFinFET+工艺，而目前正在生产以及准备生产20nm工艺的95%晶圆厂都可以上马16nmFinFET工艺，因此TSMC预计未来转移到16nmFinFET及16nmFinFET+工艺的时间会很快。

首批16nmFinFET+工艺芯片流片会在2014年完成，其余45个芯片流片预计在2015年完成，此前TSMC公布的今年16nmFinFET工艺芯片流片数量是16个。

除了16nmFinFET及16nmFinFET+工艺之外，TSMC还规划了下下代的制程工艺——10nmFinFET，这是该公司第三代FinFET工艺，在提高性能及降低功耗上有进一步的改进。TSMC预计，与16nmFinFET+相比，同样的功耗下10nmFinFET的频率提升25%，而同样的性能下功耗降低45%，晶体管密度则是16nmFinFET+工艺的2.2倍。

目前10nmFinFET工艺还在开发中，2015年Q4季度会进行试产。

如果进展一切顺利，那么NVIDIA、AMD以及高通公司将在2015年开始使用16nm工艺，2016-2017年间使用10nmFinFET工艺。