目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺，其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺，该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点，三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8GbDDR4DRAM内存，美光随后在八月份宣布他们的1znm制程也开始量产了，并且是用于16Gb颗粒的生产，现在美光正在积极扩大其1znmDDR4DRAM生产线。

据DigiTimes报道，有知情人士称，存储器制造商美光（Micron）正在对其台湾工厂的1znmDDR4DRAM生产线进行大量投资。1znm工艺是存储器行业中最新的节点尺寸，具有更高的密度，更高的效率和更快的速度。

据报道，在这个1znm的生产增长阶段，美光专注于生产用于台式机和笔记本电脑的16Gb颗粒的DDR4内存产品，生产在台中进行。同时，美光还计划在其桃园工厂推动1ynm内存产品的批量生产，美光在广岛的工厂现在致力于生产用于移动平台的低功耗内存产品。预计该公司还将在1znm节点上生产其大部分早期DDR5产品，不过暂时美光的主要重点仍然是DDR4。

1znm工艺属于10nm级工艺，但10nm级工艺并不是10nm制程，这是由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后未来还有1α及1β工艺等待被研发和应用。