早前我们曾经报道，美光发布了其创新内存技术HybridMemoryCube（混合内存立方体，以下简称HMC）。这个技术通过堆叠封装技术，将多层的DRAM芯片和一个逻辑处理层封装在一起，就可以提供比DDR3内存高出很多的内存带宽。很明显，如果这个技术能够顺利推广的话，那么内存领域将会发生一次“革命”。

作为IT界的龙头老大，英特尔对HMC内存技术抱有很大的期望，其在IDF2011大会的最后一天与美光联合宣布，两者已经决定携手发展HMC内存技术，目前已经有相应的样品出炉了。据双方称，现有的HMC内存样品能耗与低电压版DDR3内存大致相同，但是能够提供高达128GB/s内存带宽，是主流DDR3内存系统的10倍。

尽管HMC内存性能强悍，但是英特尔和美光并未有相应的量产计划，毕竟兼容性、封装难度等问题仍未解决。不过双方非常有信心，当业界真的需要这种技术的时候，一切难题都能迎刃而解。