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剑指3D xpoint闪存,三星投资800万研发NVDIMM存储技

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标题:剑指3D xpoint闪存,三星投资800万研发NVDIMM存储技
详情介绍-作者:xiaowei-来源: 极全网 -如有问题点击:在线客服帮助

Intel联合美光开发出了3DXPoint闪存,这种闪存的性能是当前NAND的1000倍,密度是后者10倍,除了PCI-ESSD硬盘之外Intel还多次展示了DIMM插槽类型的3DXPoint硬盘,这种规格的硬盘有望在服务器市场得到大规模应用。三星目前还没有DIMM插槽类型的硬盘,但他们已经未雨绸缪,将投资800万美元与Netlist公司联合开发DIMM存储技术。

我们所说的这种DIMM插槽类型硬盘实际上是JEDEC组织定义的NVDIMM存储中的一种类型,看起来跟内存差不多,但它实际上更接近硬盘,并不能取代内存,性能也更低一些,但NVDIMM硬盘容量大,而且是非易失性的,断电也不会损失数据,性能差距则可以靠新一代闪存技术来弥补。此前Intel展示的基于3DXPoint闪存的OptaneNVDIMM硬盘性能就达到了每通道6GB/s,接近DDR内存每通道10GB/s的性能了,远高于普通PCI-E硬盘。

NVDIMM标准

三星现在还没有类似3DXPoint这样的闪存,也没有NVDIMM产品展示过,不过作为全球最大的存储芯片公司,三星电子也不会放过NVDIMM市场。日前他们宣布投资800万美元与Netlist公司联合研发NVDIMM技术,此外三星风险投资公司也会拿出1500万参与投资。

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