日本NEC公司今天宣布联合MoSys公司，为任天堂新一代Wii主机提供 1T-SRAM和eDRAM技术和产品。

NEC表示，为Wii提供的新的系统LSI芯片内建NEC 90nm CMOS兼容嵌入式eDRAM，这种芯片在NEC Yamagata芯片工厂采用300mm晶圆生产，为任天堂新一代Wii主机提供高级图形功能。

eDRAM是在同一块逻辑电路芯片当中集成DRAM。根据NEC表示，eDRAM是3D图型系统和其它需要高数据带宽低功耗应用系统采用优化解决方案。NEC在3月份的GDC大会上宣布支持Wii主机。NEC表示，之所以选择MoSys作为Wii DRAM macro设计伙伴，是因为MoSys在NEC eDRAM工艺当中集成1T-SRAM上有非常丰富的经验。1T-SRAM将为任天堂Wii主机的图型系统提供非常高性能的内存。

来自于MoSys的高速超低延迟内存将作为主嵌入式内存用在Wii图型芯片当中，还作为外部内存芯片使用。前代MoSys的1T-SRAM已经用在任天堂的GameCube当中。新一代wii用1T-SRAM是MoSys和NEC联合开发6年的产物。