德州仪器（TI）今天宣布了全球首款用于DDR3 registered dual in-line memory module(RDIMM)的全整合register和锁相环（phase-locked loop，PLL）。TI表示这种芯片支持800到1066MT/s（每秒百万次传输）的数据传输率。

这款芯片型号为SN74SSTE32882，采用130nm制程，176pin BGA封装。DDR3内存芯片能以生产的更小，比如镁光目前正在生产78nm DDR3内存样品。TI表示，整合PLL后无需调整内存模组，这将简化设计和电路板布局，“加速服务器和RDIMM厂商进入市场”。

DDR3是DDR2内存是天然继承者，而TI的新技术承诺通过降低电压（从DDR2的1.8v降低到DDR3的1.5v）减少功耗。首款DDR3产品的频率预计为800MHz，功耗低于DDR2-800模组。2007年DDR3频率将迅速提高到1066和1333MHz，并有望在2008或2009年达到1600MHz。

首个支持DDR3内存的平台将是Intel的3系列芯片组，代号“Bearlake”，将于2007年Q2发布P35和G33两款型号。高端型号X38将于明年Q3问世。镁光官方表示计划在明年Q2开始量产DDR3内存。

TI的SN74SSTE32882已经开始生产样品，并将在2007年Q3全面投产。