据报道，继与GlobalFoundries合作研发45nm、28nm制程工艺后，高通近日又与台积电达成协议，双方将共同研发28nm工艺，这正对应了那句俗话：不要把所有的鸡蛋放在一个篮子里。

台积电之前已经与高通在65nm、45nm工艺上有过合作，所以此次新工艺的研发可以算是扩展合作，台积电将为高通提供下一代的片上系统Soc解决方案。

双方将把重点放在HKMG 28HP和SiON 28LP高性能工艺技术研发上，新工艺芯片密度是先前工艺技术的2倍。高通CDMA技术部门高级副总裁Jim Clifford表示，他们与台积电在新工艺上的合作有助于降低产品的功耗和生产成本。

高通打算将其芯片工艺从45nm向28nm迈进，首批28nm芯片预计将于今年中期完成。