根据digitimes报道，TSMC台积电表示旗下湿浸式光刻技术设备已经接近“生产准备”阶段，同时湿浸式光刻技术设备未来将也可用于45nm工艺。TSMC这套湿浸式光刻技术设备首先将用于生产65nm工艺芯片。TSMC在11月曾经表示，已经在安装ASML提供的这套湿浸式光刻技术设备。

TSMC之前已经采用ASML提供的湿浸式光刻技术设备生产90nm SRAM芯片，TSMC表示在尝试湿浸式光刻技术和干曝光式光刻技术之后，发现湿浸式光刻技术的产率是干曝光式光刻技术的2倍。TMSC表示，尽管还需要对湿浸式光刻技术设备进行优化，但是试验表面湿浸式光刻技术已经可以用于生产90nm以下完全工作的芯片产品，甚至是65nm芯片产品。TSMC据称已经在10月份开始湿浸式光刻技术生产90nm芯片产品。